TSM120N10PQ56 RLG
| 工場モデル | TSM120N10PQ56 RLG |
|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN |
| パッケージ | 8-PDFN (5x6) |
| 株式 | 6848 pcs |
| データシート | Mult Dev EOL 3/Aug/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDFN (5x6) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 30A, 10V |
| 電力消費（最大） | 36W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3902 pF @ 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 58A (Tc) |
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